不同电极形状GaN基蓝光LED的γ辐照效应

摘要

通过γ辐照和电流加速老化的方法研究环形、旋转形、中心环绕形、树形等4种电极芯片的抗辐射性能.结果表明:与环形电极相比,3种新型电极的抗辐射性能较好;随着辐照剂量的增加,环形电极的工作电压明显高于3种新型电极,而且辐照后环形电极的主波长和峰值波长红移现象明显,光通量和发光效率衰减更加明显;老化实验得知γ辐照后新型电极的寿命优于环形电极;通过对发光二极管(LED)芯片的电极进行优化,不仅可以减少电流的拥挤效应,而且可提升芯片的抗辐射性能,延长LED器件的使用寿命.