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陈小兵; 毛翔宇; 凌帆; 高维山; 赵成; Chang J S; Berezin A A;
扬州师院物理系;
McMaster大学;
氘化非晶硅; PCVD方法; 电子浓度; 薄膜; 半导体;
机译:前驱体初始浓度对PCVD法制备的TiO2薄膜纳米结构的影响
机译:旋转PCVD法在聚丙烯微珠上制备HO2薄膜及其在有机污染物去除中的应用
机译:阵列-ANTENNA VHF-PCVD系统制备a-Si:H和μc-Si:H太阳能电池的低氢气流速过程
机译:用于微辐射热计应用的脉冲直流磁控溅射氧化钒薄膜的制备,表征和沉积后修饰
机译:直流等离子体技术制备的火花等离子体烧结SiC与Si-SiC复合纳米粒子的烧结行为
机译:化学浴沉积(CBD)方法制备的半导体薄膜的霍尔效应和直流电导率测量的研究
机译:采用固定石墨加热器制备siO2单晶si薄膜,通过种子凝固制备横向外延
机译:Si Si Ni化学气相沉积法在硅基体上制备镍薄膜的方法以及在硅基体上制备硅化镍薄膜的方法
机译:在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
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