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靳铁良;
平顶山学院,电气信息工程学院,河南,平顶山,467002;
势垒隧穿; 电子-空穴对; 协力纠缠度;
机译:氮掺杂对Si_(1-x)Ge_x / Si谐振隧穿二极管中Si势垒空穴隧穿特性的影响
机译:氮对轻氮化SiO_(2)/ Si界面隧穿势垒高度和电子和空穴有效质量的影响
机译:具有内部隧穿势垒的量子点中的远红外驱动的电子-空穴相关性-艺术。没有。 155322
机译:GaAs / AlGaAs双势垒二极管中穿过Landau能级的光生空穴的隧穿
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:电子在Weyl半金属中穿过双磁性势垒的隧穿
机译:NaCl薄膜中Cl空位的扫描隧穿光谱:双势垒隧穿结中的强电子-声子耦合。
机译:中心电池对称性在Gaas / al(x)Ga(1-x)量子阱结构中电子和空穴隧穿中的作用
机译:Snapback减少了闪存EEPROM的隧穿氧化物中的电子和空穴陷阱
机译:氮化物发光器件中异质隧穿结的空穴注入
机译:具有氧化镁隧穿势垒层和具有插入层的自由层的隧穿磁阻(TMR)器件
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