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周利玲; 吴峰星; 王炜路; 李宏; 周艳红; 聂义友;
江西师范大学物理与通信电子学院;
方势垒; 电子-空穴对; 量子纠缠;
机译:氮掺杂对Si_(1-x)Ge_x / Si谐振隧穿二极管中Si势垒空穴隧穿特性的影响
机译:具有圆柱形势垒的双势垒隧穿二极管中通过径向隧穿实现的I-V特性
机译:空穴隧穿势垒宽度对硅量子点发光二极管电学特性的影响
机译:GaAs / AlGaAs双势垒二极管中穿过Landau能级的光生空穴的隧穿
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:电子在Weyl半金属中穿过双磁性势垒的隧穿
机译:对称和非对称双势垒隧穿结的单电子隧穿I-V特性
机译:并联磁场中电子 - 空穴三层的隧穿特性
机译:Snapback减少了闪存EEPROM的隧穿氧化物中的电子和空穴陷阱
机译:氮化物发光器件中异质隧穿结的空穴注入
机译:具有氧化镁隧穿势垒层和具有插入层的自由层的隧穿磁阻(TMR)器件
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