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Fe离子价态和占位对Fe掺杂In2O3稀磁半导体铁磁性的影响

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摘要

从实验和理论上研究了氧空位、Fe离子价态和占位对Fe掺杂In2O3稀磁半导体铁磁性的影响.研究发现In2O3中的Fe3+离子倾向占据86晶位,对室温铁磁性没有贡献;Fe2+离子可通过氧空位来诱导,并倾向占据24d晶位;室温铁磁性归因于24d晶位Fe2+离子的4s电子和3d电子的杂化.研究结果不仅清晰地给出了Fe掺杂In2O3稀磁半导体铁磁性来源的物理图像,而且提供了一种通过控制材料中氧空位含量和掺杂离子价态来调控磁性的方法.

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来源
《新乡学院学报（自然科学版）》|2018年第6期|16-21|共6页
作者
马甜甜; 乔文;
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作者单位

河南工业大学理学院,河南郑州450001;

河南工业大学理学院,河南郑州450001;

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正文语种 chi
中图分类磁学性质;掺杂;
关键词
纳米材料; 氧化铟; 稀磁半导体; 磁性;

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