平面型电力电子器件阻断能力的优化设计

摘要

利用场限环终端结构及P+I(N-)N+体耐压结构分析了平面型电力电子器件的阻断能力.提出了一种优化设计阻断能力的新方法,通过将器件作成体击穿器件,使其终端击穿电压与体内击穿电压之间达成匹配,从而可提高器件阻断能力的稳定性和可靠性,并降低器件的通态损耗及成本.最后通过制作具有PIN耐压结构的GTR和引用国外有关文献验证了该方法的正确性.该方法可直接推广到整流器、晶闸管、GTR、IGBT、IEGT和MCT等多种平面型电力电子器件设计中.