用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

邵云东; 王柱; 赵有文; 唐方圆

首页> 中文期刊>武汉大学学报：理学版 >用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷.

著录项

来源
《武汉大学学报：理学版》|2006年第1期|35-39|共5页
作者
邵云东; 王柱; 赵有文; 唐方圆;
展开▼
作者单位

武汉大学物理科学与技术学院;

中国科学院半导体研究所;

四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类杂质和缺陷;
关键词
GaSb; 符合多普勒展宽; 正电子湮没; 电子辐照; 缺陷;
入库时间 2022-08-20 18:31:44

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 正电子湮没谱和光致发光谱研究掺锌GaSb质子辐照缺陷 [J] . 周凯 ,李辉 ,王柱 . 物理学报 . 2010,第007期
2. 重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究 [J] . 李辉 ,柯君玉 ,庞锦标 . 武汉大学学报：理学版 . 2007,第5期
3. GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展 [J] . 张哲 ,赵江赫 ,张铭 . 表面技术 . 2019,第1期
4. 2~5 μm中红外波段GaSb半导体材料研究进展 [J] . 余沛1 ,房丹1 ,唐吉龙1 . 应用物理 . 2018,第001期
5. 用正电子研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱 [J] . 王少阶 ,陈志权 ,王柱 . 武汉大学学报：自然科学版 . 2000,第1期
6. Si基半导体中微观缺陷和微量元素行为的正电子湮没研究 [C] . 韩艳玲 ,陈玉辉 ,韩丽芳 . 第十届全国正电子湮没谱学会议 . 2009
7. 正电子湮没技术研究离子注入型半导体材料中的缺陷与磁性 [A] . 徐菊萍 . 2017

用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅