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刘志国; 顾海涛; 姚端正;
武汉大学物理科学与技术学院;
InGaN/GaN; 量子阱; 单量子阱近似模型; 激子; 半导体材料; 光吸收效应; 跃迁;
机译:半极性InGaN / GaN量子阱中极化场方向的实验和理论考虑半球形InGaN / GaN量子阱中极化场方向的实验和理论考虑
机译:A轴轴芯纳米线的生长,半极性(1101)GaN / IngaN多量子阱在Si衬底上的多量子阱共轴纳米线及其载体动力学
机译:InGaN / GaN多量子阱和单量子阱中的载流子弛豫动力学和稳态电荷分布
机译:MOCVD生长的InGaN外延层和InGaN / GaN量子阱中异常依赖温度的发射移位的载流子动力学
机译:InGaN / GaN量子阱中复合的动力学。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:mOCVD生长InGaN弹性体和InGaN / GaN量子阱中异常温度相关发射偏移的载流子动力学
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译:高效的蓝色InGaN / GaN量子阱发光二极管,后期呈锯齿状
机译:高效的蓝色INGAN / GAN量子阱光发射二极管,具有锯齿状
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