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多层溅射方法制备WSix／Si薄膜技术研究

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摘要

采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以下特点：可以通过控制成分得到不同晶格结构的硅化物薄膜，可在硅衬底上形成浅接触，还可以防止金属钨的氧化．

著录项

来源
《中国科学技术大学学报》|1994年第3期|345-350|共6页
作者
王晓平; 施一生;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
多层溅射; XRD; 硅化钨; 薄膜; 硅;
入库时间 2022-08-18 07:34:18

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