深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取

摘要

详细分析了适用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ设计的深亚微米ＢＳＩＭ２ ＭＯＳ器件模型，并在深入讨论短沟道ＭＯＳ器件物理效应的基础上，对沟道长１μｍ栅氧化层厚度２５ｎｍ的ｎＭＯＳＦＥＴ进行了测试和ＢＳＩＭ２模型参数的提取，且对结果进行了分析和讨论。结果表明，ＢＳＩＭ２具有精确、参数易提取、计算速度快的特点，是ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ模拟设计的重要工具之一。