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卢励吾; 许振嘉;
中国科学院半导体研究所;
机译:运输中硅,砷化镓,砷化铟镓热载流子和半导体的GaN亚微米结构与辐射缺陷纳米尺寸簇
机译:高温快速热退火后低剂量砷和硼注入的硅中残留缺陷的热行为
机译:硼注入硅的激光退火和热退火的比较研究
机译:热退火和激光退火下等离子体氢化晶体硅中与氢有关的缺陷的演变
机译:在不匹配的锗和硅锗/硅衬底上生长的外延砷化镓材料中的缺陷的微观结构研究。
机译:通过水下激光退火结晶成多晶硅薄膜并同时灭活电缺陷
机译:植入式硅晶体中脉冲激光退火引起的扩展缺陷结构研究
机译:激光退火的砷化镓缺陷的TEm研究
机译:通过非晶硅的准分子激光退火形成热稳定硅化物的方法
机译:非晶硅准分子激光退火形成热稳定硅化物的方法
机译:与硅和二氧化硅结合的热稳定晶体无缺陷锗
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