基于(100)硅的MEMS微型超级电容器电极结构设计

摘要

微型超级电容器的空间小,常规的基底平面电极结构储存的能量非常有限.利用(100)硅的各向异性腐蚀特性和{111}面的腐蚀自停止特点,设计制作V形阵列微电极结构,可以增大比表面积,提升超级电容器性能.该方法制作的电极表面光滑性好,操作方便,简单可行,并且可与其他传感器元件集成在同一硅片上,更容易实现MEMS微型器件芯片一体化集成.