SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

摘要

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGeSOIBMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能 对不同导电类型的SiGeSOIBMHMT、SiGeSOIMOSFET、SOIBMHMT和SOIMOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟,结果表明,SiGeSOIBMHMT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高,阈值电压降低,存在衬底栅极和横向双极晶体管。