射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜

摘要

用射频磁控溅射法分别在具有20 nm Fe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2 Pa,基片温度为100～150 ℃时,最有利于α″-Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735 T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.