TPD：CuPc LB薄膜电子阻挡层对电致发光的影响

华玉林; 候延冰

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TPD：CuPc LB薄膜电子阻挡层对电致发光的影响

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ＴＰＤ：ＣｕＰｃＬＢ薄膜作为电子阻挡层被引入到ＩＴＯ／ＴＰＤ：ＣｕＰｃ／Ａｌｇ：ＤＣＭ１／Ａｌ电致发光器件中的ＰＰＶ和Ａｌｑ：ＤＣＭ１层之间，不含任何ＴＰＤ：ＣｕＰｃ层或仅含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ且在较高直流电压（≥８Ｖ）驱动下的器件，它们的发射光谱同时来自ＰＰＶ（５１３ｎｍ）和Ａｌ：ＤＣＭ１（５９１ｎｍ）。相反，当含单层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器件在较低电压驱动下（〈７Ｖ）或含双层ＴＰＤ：ＣｕＰｃ的器

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来源
《天津理工学院学报》 |1999年第1期|5-9|共5页
作者
华玉林; 候延冰;
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作者单位

天津理工学院材料物理所;

北方交通大学光电子技术所;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类薄膜的性质;
关键词
朗谬尔薄膜; 电子阻挡层; TPD; 电致发光; LB薄膜;

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