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基于BiCMOS制作技术的探讨与研究

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此文从最简单最基本的三重扩散3DBiCMOS制作工艺技术入手,分析了BiCMOS制作工艺的特征,重点探讨了双阱BiCMOS工艺处理方法,进行了CMOS,双极晶体管和BiCMOS工艺对比分析,对BiCMOS制作工艺及性能提高的前景进行探讨与研究.

著录项

来源
《测试技术学报》|2004年第z1期|69-73|共5页
作者
鄢云;
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作者单位

西安航空技术高等专科学校,西安,710077;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
CMOS; 双极晶体管; BiCMOS; 扩散; 注入; 外延层; n阱; p阱;
入库时间 2023-07-25 19:26:46

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