低温溶液法制备氧化钼及其在QLEDs中的应用

摘要

空穴注入层(HIL)在量子点发光二极管(QLEDs)中有重要作用.使用低温溶液法制作了MoOx纳米颗粒,将其在氧化铟锡(ITO)玻璃上旋涂成膜后使用不同温度进行退火处理,并作为空穴注入层进行量子点发光二极管的制作.实验结果表明,氧化钼薄膜有着与ITO玻璃阳极和Poly-TPD空穴传输层匹配的能级,可用作量子点发光二极管的空穴注入层,而使用经100℃退火处理后的MoOx薄膜作为空穴注入层的器件性能最佳:器件启亮电压为2.5 V,最高外量子效率为11.6％,在偏压为10 V时,器件的最高亮度达到27100 cd/m2.