平面肖特基二极管的制作

摘要

为研究制作THz频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺.通过分子束外延(MBE)生长了掺杂浓度分别为5×1018cm-3的缓冲层和2×1017 cm-3的外延层,并研究温度对厚度的影响,使得膜层厚度控制良好,晶格完整.通过参数控制,减小了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的SiO2钝化层应力,使压指结构的翘曲情况得以改善.研究了不同退火温度下欧姆接触的情况,使接触电阻率减小到0.8×10-7 Ω/cm2.用电子束光刻和干法刻蚀制作了亚微米级的阳极区域,结合GaAs湿法刻蚀的速率控制,完成了表面沟道的制作,制作出完整的平面肖特基二极管.通过I-U曲线理论计算,二极管的截止频率达到太赫兹量级,为后续工作奠定了基础.