平面型肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明的平面型肖特基二极管，包括基底，基底的上表面为半导体薄膜，半导体薄膜的上表面上固定有左半第一金属层和右半第一金属层，左半第一金属层、右半第一金属层的上表面上分别固定有左半第二金属层和右半第二金属层；左半第二金属层和右半第二金属层中两者之一与半导体薄膜相接触。本发明的肖特基二极管的制作方法包括：a).清理基底；b).生长或淀积半导体薄膜；c).制备绝缘体块；d).制备第一金属层；e).制备第二金属层；f).溶解绝缘体块；g).设置电极。本发明的平面型肖特基二极管及制作方法，形成了的平面型肖特基二极管，可在高频条件下工作，可应用在以纸张、塑料为基底的场合，并可随基底进行弯曲。