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楼曹鑫; 丁澜; 马锡英; 黄仕华;
苏州科技学院数理学院;
浙江师范大学数理信息学院;
等离子体化学气相沉淀; 退火; 形貌; 原子力显微镜; I-V;
机译:硅上FeSi2量子点的形貌和电学特性研究
机译:高折射率硅衬底上生长的应变硅锗层和弛豫硅锗层的形貌
机译:高应变掺锰锗湿润层和嵌入硅中的锗量子点的偏析现象研究
机译:硅锗量子点的组成变化研究
机译:锗/锗(001)和硅/锗(111)的分子束外延过程中的形貌演变。
机译:射频磁控溅射法生长的锗量子点与衬底温度相关的表面形貌和光致发光
机译:用锗量子点锗/硅纳米系统中辐射重组强度
机译:高阻硅的发光现象研究及低电阻率硅隧道电学特性研究半年度进展报告,1969年9月20日 - 1969年3月20日
机译:通过离子轰击连续改变锗或硅的至少一部分半锗或硅的电性能的方法,并且通过应用该方法进行了全面的研究。
机译:硅锗组成变化的硅锗薄层半导体结构及其制备方法
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