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激光辅助制备多孔硅锗的形貌和PL光谱研究

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摘要

用改进的双槽法和激光辅助照射制备多孔硅锗,用电子扫描探针观察其形貌.同时测样品的PL光谱,峰位在725nm左右,且不随制备条件的变化而变化.强度比一般多孔硅的强度强10倍左右.提出了量子受限和界面态效应综合模型来解释其发光.

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来源
《贵州大学学报：自然科学版》 |2006年第4期|346-348|共3页
作者
吴克跃; 黄伟其; 许丽; 刘世荣;
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作者单位

贵州大学理学院;

中国科学院贵阳地球化学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体量子理论;
关键词
激光辐照; 多孔硅锗; PL光谱; 量子受限和界面态综合模型.;

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