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胡明; 田斌; 王兴; 张景阳; 张之圣;
天津大学,电子信息工程学院电子科学与技术系,天津,300072;
多孔硅; 化学刻蚀; 应力; 微裂纹;
机译:电化学刻蚀法制备聚苯乙烯/多孔硅光电探测器的性能研究
机译:电化学刻蚀制备多孔硅/ p-Si异质结的电学研究
机译:电化学刻蚀法制备多孔硅的表面化学性质和粒径研究
机译:光化学刻蚀n型单晶硅制备的纳米多孔硅的光致发光
机译:光电化学刻蚀制备的柱状多孔碳化硅的形成与表征。
机译:电化学刻蚀制备多孔硅的形貌和纳米结构特征
机译:化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究
机译:在单晶硅晶格中制备埋入式多孔硅 - geramanium层的方法
机译:改性多孔硅膜的制备方法,根据该方法制备的改性多孔硅膜和使用该改性多孔硅膜制造的半导体器件
机译:电化学和化学刻蚀过程,用于生成多孔硅微粒
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