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不同注入剂量和能量对氧化钛薄膜结构的影响

     

摘要

为研究离子注入以及真空退火对氧化钛薄膜的结构和性能影响,利用非平衡磁控溅射技术,在单晶硅基体上沉积得到了金红石氧化钛薄膜,在此基础上注入磷离子,并进行真空退火处理.研究结果表明:注入剂量和能量的增加,使得氧化钛薄膜的晶体结构损伤程度加剧; 真空退火后,未注入与离子注入的薄膜Raman峰均出现红移和加宽现象,薄膜能带结构因氧缺位及低价钛而产生的变化,导致薄膜的方块电阻逐渐降低,电阻可降至100~200 Ω/cm2.

著录项

  • 来源
    《西南交通大学学报》|2010年第6期|920-925|共6页
  • 作者单位

    西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031;

    西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031;

    西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031;

    西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031;

    西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031;

    西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜的性质;
  • 关键词

    氧化钛薄膜; 离子注入; 能带结构; 氧缺陷; 方块电阻;

  • 入库时间 2022-08-17 16:17:49

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