NMOSFET低温阈值特性的研究

摘要

本文对N沟多晶硅栅MOSFET的低温(77 K)阈值特性进行了理论和实验研究.结果表明,理论分析和测试结果一致,而且与器件的室温特性相比,77 K下器件的亚阈值和阈值电压特性以及衬底灵敏度均得到改善.基于这些结果,本文也给出了适于低温工作的增强型MOSFET的设计原则.