两种场发射锥尖的制备工艺及电学特性分析

摘要

研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备方法、工艺及封装方法等．并分别测试了这两种场发射锥尖阵列的电子发射特性，分析表明倒金字塔填充型锥尖适用于制备高频微波器件，正向刻蚀的硅尖适用于制备高速开关器件．