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王培禄; 刘仲阳; 姜景云;
原子核科学技术研究所;
离子束; 溅射; 界面; 硅化物; 薄膜;
机译:双离子束溅射沉积具有大磁阻的[Ni / sub 81 / Fe / sub 19 // Cu]多层膜的离子轰击和偏置场的影响
机译:掠入射X射线反射率,原子力显微镜和光谱椭偏仪表征离子束溅射沉积的W和Si膜以及W / si界面
机译:离子束溅射沉积法在SI(100)上SIO2 / TA2O5多层膜的结构性质
机译:沉积和后续体积燃烧合成的Al / Ni多层膜的界面特性
机译:Fe-Ni变异对Mn0.5Fe0.5 + XNI1-XSI0.94AL0.0.06和MN0.5FE0.5-XNI1 + XSI0.94AL0.06系统磁热性性能影响的研究
机译:高性能泡沫超级电容器的电沉积一步法合成Ni泡沫上的自支撑Ni3S2 / NiS复合膜
机译:离子束溅射沉积的Mo / Si多层膜中的界面生长机理
机译:通过电子回旋共振等离子体氧化在(100)si衬底上生长的薄(<10nm)siO(sub 2)膜的结构和界面特性。
机译:在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在形成Ni时Si晶片的表面的表面粗糙化处理液和镍合金膜,转化处理方法
机译:形成Ni和Ni合金膜的硅晶片,在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在形成Ni和Ni合金膜的硅晶片表面上进行表面粗加工的液体,以及在表面上进行表面粗加工的方法
机译:通过NI + P,NI + B或NI + SI镀层沉积表面层的金属连接方法
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