脉冲偏压对TiAlN/TiN多层膜生长及熔滴的影响

宫永辉; 毛延发; 唐卫国; 刘金良; 冯博学; 韩培刚

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脉冲偏压对TiAlN/TiN多层膜生长及熔滴的影响

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针对直流脉冲负偏压对PVD涂层形成过程和熔滴造成很大影响的问题,通过施加脉冲偏压有利于实现低温沉积.研究发现,沉积速率随直流脉冲负偏压峰值的提高先升高后降低,在-300V偏压时沉积速率最大;熔滴密度和直径随脉冲负偏压峰值的提高递减;随偏压升高,加大了元素溅射产额的差异,使涂层中铝元素和钛元素的含量发生变化.

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来源
《深圳大学学报：理工版》 |2007年第4期|410-413|共4页
作者
宫永辉; 毛延发; 唐卫国; 刘金良; 冯博学; 韩培刚;
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作者单位

深圳大学机电与控制工程学院;

西安建筑科技大学冶金工程学院;

兰州大学物理科学与技术学院;

深圳市广大纳米工程技术有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜技术;
关键词
脉冲偏压; TiAlN/TiN膜; 生长过程; 熔滴; 多弧离子镀;

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