脉冲偏压对分离靶多弧离子镀TiAlN薄膜结构和硬度的影响

摘要

本文利用分离的钛、铝靶多弧离子镀的方法,在M2高速钢表面沉积了TiAlN复合薄膜,通过改变基体脉冲偏压的幅值,引起离子流量和离子能量的变化,实现TiAlN复合薄膜的相结构和Al/Ti元素成分的变化.XRD和EDS分析结果表明,随着脉冲偏压幅值的增加,TiAlN复合薄膜的晶粒生长取向和Al元素的成分含量发生了变化.在较高的脉冲偏压幅值下,(111)晶面和(220)晶面的生长增强.在-200V的偏压条件下,薄膜中Al的含量达到37.92at％,硬度达到最大值4117HV.