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郑瑞生; 武红磊;
深圳大学光电工程学院;
深圳518060;
半导体材料; 晶体生长; 氮化铝; 单晶体; 宽禁带半导体; 物理气相沉积;
机译:升华法氮化铝单晶生长技术的发展
机译:通过升华法的单晶生长技术氮化铝的发展
机译:宽间隙半导体晶体生长技术-迈向先进的环境与能源社会-氮化铝(AlN)单晶的合成
机译:肖克拉斯基生长技术带有重量传感器的工业装置中单晶-熔体拉制过程的物理建模
机译:激光加热基座生长技术生长的稀土掺杂单晶YAG纤维
机译:高纯钾大单晶的生长技术
机译:单晶金刚石中点缺陷的纳米尺度传感:近期 基于氮空位中心的传感器研究进展
机译:几种3-5化合物半导体体单晶生长技术的发展
机译:具有氮化铝单晶层的层叠体的制造方法,通过配制工序制造的层叠体,使用该层叠体的氮化铝单晶基板的制造方法以及氮化铝单晶基板
机译:制备氮化铝体单晶,包括在坩埚排列的晶体生长区域中放置单晶氮化铝籽晶,并在晶体生长区域中产生氮化铝生长气相
机译:具有Al基III族氮化物单晶层的层叠体的制造方法,通过配制工序制造的层叠体,使用该层叠体的Al基III族氮化物单晶基板的制造方法以及氮化铝单晶衬底
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