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李焕勇; 介万奇;
西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072;
西北大学化学系,西安,710069;
基本理化性质 体单晶生长技术 ZnSe晶体;
机译:利用顶部种子浸润和生长技术用新型液体源制备单晶GdBa2 sub> Cu3 sub> O7-x sub>体超导体。
机译:垂直布里奇曼法生长技术制备Li_2B_4O_7(LBO)单晶-大直径并加长的生长技术
机译:乌克兰NAS单晶研究所采用Czochralski方法开发光子单晶生长技术的信息
机译:肖克拉斯基生长技术带有重量传感器的工业装置中单晶-熔体拉制过程的物理建模
机译:激光加热基座生长技术生长的稀土掺杂单晶YAG纤维
机译:高纯钾大单晶的生长技术
机译:一种磷灰疮生长技术的蓝宝石单晶播种的自动化方法
机译:几种3-5化合物半导体体单晶生长技术的发展
机译:它由ZnSe基化合物半导体单晶基板的生产方法空单晶ZnSe基化合物半导体组成,
机译:能够连续观察ZnSe单晶的ZnSe单晶制造装置
机译:熔体单晶硅生长技术
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