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孙承松; 张丽娟; 陈桂梅; 袁凯;
沈阳工业大学,信息科学与工程学院,沈阳,110023;
东北微电子研究所,沈阳,110032;
Ni-Cr电阻; 熔丝; 可编程只读存储器; 集成电路; 设计;
机译:基于130 nm CMOS的薄/厚栅极氧化物反熔丝PROM中的重离子和脉冲激光单事件效应
机译:高性能FPGA和PROM的高度可靠的ONO反熔丝的表征和建模
机译:高密度栅氧化物反熔丝PROM存储单元程序特性研究
机译:512 Mb PROM,带有8层反熔丝/二极管单元
机译:熔丝灯丝制造一种用于生物可吸收器件的可行的制造方法?用于预防脊柱融合感染的3D印刷夹的开发
机译:器件设计对Si / SiO2单电子器件中电荷偏移漂移的影响
机译:Ni-Cr /瓷和Ni-Cr / Ti牙科金属陶瓷体系的摩擦腐蚀性能牙科Ni-Cr /瓷和Ni-Cr / Ti /瓷金属陶瓷体系的摩擦腐蚀性能
机译:在某些EpROm,EEpROm,闪存和闪存微控制器211半导体器件以及包含它的产品中。调查编号337-Ta-395
机译:能够通过正常读取操作读取签名熔丝的数据的半导体存储器件以及通过正常读取操作读取半导体存储器件中的签名熔丝的数据的方法
机译:监视反熔丝单元数据中的反熔丝电路,并且包括该反熔丝电路的半导体器件
机译:半导体器件中的金属线形成方法,包括执行蚀刻工艺以形成金属熔丝,该金属熔丝的一侧连接到金属线,另一侧连接到衬底,并且将金属线和金属熔丝电隔离。
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