碳纳米管导电增强聚乙撑二氧噻吩复合材料的研究

摘要

采用原位聚合法以三氯化铁作为掺杂剂,过硫酸铵为氧化剂和引发剂制备碳纳米管/聚乙撑二氧噻吩复合材料.通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、红外光谱(IR)对样品形貌及结构进行表征,采用循环伏安测试法(CV)研究碳纳米管/聚乙撑二氧噻吩纳米复合材料的电化学行为.结果表明:聚乙撑二氧噻吩纳米颗粒均匀包覆于多壁碳纳米管的表面,形成核壳结构;随碳纳米管含量的增加,复合材料的电化学性能随之改善,当碳纳米管质量分数为28.6％时,碳纳米管/聚乙撑二氧噻吩纳米复合材料的比电容达到179.8 F/g,且电化学活性最好.