氯苯反溶剂法制备高性能Cs_(3)Bi_(2)I_(9)基全无机类钙钛矿光电探测器

摘要

全无机组分的类钙钛矿Cs_(3)Bi_(2)I_(9)不含铅离子,无毒环保且具有较好的稳定性.目前报道的大多数Cs_(3)Bi_(2)I_(9)基光电探测器多采用Cs_(3)Bi_(2)I_(9)单晶薄膜制备,虽然光电性能优异,但制备相对复杂.采用一步法,通过在旋涂过程中优化旋涂速度和氯苯反溶剂的添加时间,最终获得均匀平整的Cs_(3)Bi_(2)I_(9)非晶薄膜,并制备出光/暗电流比高达10^(4)的高性能平面光电导型光电探测器.这表明添加反溶剂制备的非晶Cs_(3)Bi_(2)I_(9)薄膜光探测器是一种性能优异的器件,有较大的应用潜力.