ZnGa2S4、ZnGa2Se4和ZnGa2Te4的不同结构的电子结构

摘要

用第一性原理的局域密度泛函方法对一组化合物ZnGa2X4（X=S，Se，Te）进行了计算．研究了能带结构，对有缺陷的黄铜矿结构与有缺陷的脆硫锑铜矿结构两种结构进行了计算．计算表明，ZnGa2Te4是间接带隙，而Zn—Ga2S4、ZnGa2Se4是直接带隙．我们发现，在有缺陷的黄铜矿结构与有缺陷的脆硫锑铜矿结构两种结构中，用局域密度泛函方法计算的带隙不同，而它们的晶格常数非常接近．