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GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂

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GaAsP混晶中Fe杂质基态与激发态的光离化截面的幅度比S(x)随组分x有规律地变化,本文提出一种理论估算,认为它是Fe能级无序分裂的结果.

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来源
《半导体学报》 |1989年第7期|553-555|共3页
作者
黄启圣;
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作者单位

厦门大学物理系;

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正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
GaAaP; 混晶半导体; 杂质能级;

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