SiC光控异质结达林顿晶体管的导通机理

蒲红斌; 陈治明

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利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表明,SiC光控异质结达林顿晶体管在近红外区内具有明显光控开关特性,其饱和导通压降为4.5V左右,且宜于强光工作.

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来源
《半导体学报》 |2005年第z1期|143-146|共4页
作者
蒲红斌; 陈治明;
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作者单位

西安理工大学电子工程系;

西安;

710048 西安理工大学电子工程系;

西安;

710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
SiC; 光控达林顿晶体管; 异质结; 功率开关;

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