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盛殊然; 孔光临; 廖显伯; 夏传钺; 郑怀德;
中国科学院半导体研究所;
氢化非晶硅; 调制光电流相移; 隙态; 非晶态半导体;
机译:传输后光电流谱研究氧杂质对氢化非晶硅能隙态能量分布的影响
机译:氢化非晶硅合金中电接触构型对光电流法隙态吸收光谱的影响
机译:事后光电流光谱法研究氢化非晶硅中间隙态的能量分布:氧化铟锡/氧化硅双层栅的有效性
机译:氢化非晶硅尾态分布的实验测定:瞬态光电流分析
机译:通过光电流分析研究氢化非晶硅的局部能级
机译:锥形氢化非晶硅光子线中抛物线相似子的被动产生综合分析
机译:氢化非晶硅中能隙态的密度
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日
机译:一种氢化的含非晶硅的复合胶体的制备方法和用氢化的非晶硅复合层的胶体封装物,氢化的非晶的硅复合胶体的氢化物和含硅的复合层封装物的封装方法及其用途
机译:一种用于非晶硅太阳能电池的宽带隙氢化非晶硅缓冲层的制备方法
机译:制备含氢非晶硅胶体和/或复合胶体的方法,并用于用氢化非晶硅复合胶体,氢化无定形硅的胶体和/或复合胶体,用含硅复合层的物质包封,以及使用它
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