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刘志农; 贾宏勇; 罗广礼; 陈培毅; 林惠旺; 钱佩信;
清华大学微电子学研究所;
HV/CVD系统; 硅; 锗化硅; 低温掺杂外延;
机译:n-p-n Si / SiGe / Si异质结双极晶体管材料的低温生长过程中通过气源分子束外延掺杂
机译:UHV / CVD掺杂和生长薄Si外延层和SiGe
机译:大气压等离子体CVD在低温下原位掺杂B的Si外延生长
机译:在图案化的Si衬底上生长SiGe HV / CVD外延
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:GaAs上的低温等离子体增强了CVD的硅外延生长:III-V / Si集成的新范例
机译:在块状单晶SiGe和Si衬底上的UHV / CVD SiGe外延层的生长和表征
机译:稀土掺杂si的低温外延生长
机译:低温Si和SiGe外延中n型自掺杂的抑制
机译:低温SI和SIGE外延中N型自掺杂的抑制。
机译:低温Si和SiGe外延中n型自动掺杂的控制
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