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钱毅; 徐俊英; 徐遵图; 张敬明; 肖建伟; 陈良惠; 王启明; 周小川; 蒋健; 钟战天;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室;
中国科学院表面物理实验室;
量子线阵列; 分子束外延; 量子器件;
机译:预构图非平面衬底上GaAs脊量子线的选择性分子束外延生长的动力学和建模
机译:MBE在Si衬底上以SiO2掩模为边界的三角形纳米腔上GaAs量子点的选择性生长
机译:(111)通过B衬底上的MBE选择性生长形成GaAs六角形量子线网络
机译:图案化(001)衬底上GaAs脊量子线阵列的MBE选择性生长及其生长机理
机译:MBE在纳米图案化的衬底上生长高度有序的砷化铟/砷化镓和砷化铟镓/砷化镓量子点。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:预构图非平面衬底上GaAs脊量子线的选择性分子束外延生长的生长动力学和建模
机译:在Inp衬底上低温mBE生长的Inalas层的TEm结构研究
机译:用于施加到预构造的半导体衬底上的半导体结构部件将掩模施加到具有在确定点处明显减小的宽度的衬底,从而允许通过MBE和MOVPE外延生长。
机译:MBE生长技术,用于匹配在GaAs衬底上生长的超晶格
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