REBULF LDMOS实验结果及具有部分n^+浮空层结构的分析

摘要

分析了REBULF LDMOS的实验结果,由击穿电压的测试结果验证了模拟仿真中发现的漏电流增加源于n+浮空层的作用,但暴露于表面的n+p结的漏电流使击穿电压降低.为了解决这个问题,文中分析了具有部分n+浮空层的REBULF LDMOS结构,此结构不但具有降低体内电场的REBULF效应,而且终止于源端体内的n+p结解决了文献[10]中的大漏电流问题.分析结果表明,击穿电压较一般RESURF LDMOS结构提高60%以上.