退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
唐本奇; 高玉民; 罗晋生;
西安交通大学微电子工程系;
场限环结构; 功率器件; 表面电荷效应;
机译:通过结合保护环辅助场限制环和内部环来改善SiC肖特基势垒二极管的击穿电压特性
机译:讨论湿度对球形间隙和均匀场间隙击穿电压的影响,附近的接地物体和电压极性对水平球形间隙的直流击穿的影响,温度的校准均匀场中和直径最大25厘米的球体之间的气隙
机译:作者对以下问题的答复:湿度对球形间隙和均匀电场间隙的击穿电压的影响,附近接地物体的影响以及电压极性对水平球形间隙的直流电压击穿的影响,在均匀场中以及直径最大为25 cm的球之间的气隙的直流电压校准
机译:具有场限压环的平面结击穿电压增加估计
机译:应变环乙硅烷的单分子电导和结击穿。
机译:在量子霍尔效应击穿中量化电压而不是电阻的证据
机译:随机神经网络相关结构的有限尺寸效应 网络:不同连通矩阵的分析和失败 平均场理论
机译:在带有加速器管的单端范德格拉夫电压击穿后的计算
机译:具有超高击穿电压的场环结构的功率半导体
机译:在雪崩电压击穿区中具有包含场层的电压击穿保护晶闸管
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。