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GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究

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摘要

利用分子束外延技术，在ＧａＡｓ两个（１１３）晶面的脊形交接处制备了量子线．在低温ＰＬ谱上，观测到量子线的发光峰．通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效应和一维量子线在上述结构中的存在．

著录项

来源
《半导体学报》 |1998年第8期|631-634|共4页
作者
程文超; 张子平; 李国华; 牛智川; 徐仲英;
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作者单位

半导体超晶格国家重点实验室;

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
砷化镓; 砷化铝; 脊形量子线; 分子束外延;

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