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黄伟; 卢建政; 张利春; 高玉芝; 金海岩;
北京大学微电子学研究院;
Ni(Zr)Si; 热稳定性; X射线衍射; Raman光谱; 肖特基二极管;
机译:硅上电沉积Ni薄膜的电学特性:肖特基势垒二极管
机译:Zr含量对Cu / Zr-WO_x / p-Si肖特基势垒二极管的多相锆-钨氧化物(Zr-WO_x)薄膜及其MIS结构的影响
机译:Ni / Si(100)薄膜的快速热退火在850℃形成的硅化镍薄膜的结构和电学特性
机译:Ni(Zr)Si硅化物和Ni(Zr)Si / Si肖特基二极管的热稳定性
机译:Ni,Mn,Zr和Sc的添加对Al-Si-Cu-Mg合金性能的影响。
机译:利用透射菊池衍射的Si和Zr掺杂氧化Ha薄膜和集成FeFET的结构和电学比较
机译:Zr-1%mo-1%Cr和Zr-1%mo-1%Ni合金的加压水的可加工性,热处理特性和耐腐蚀性研究
机译:基于Cu-Ni-Si的铜合金板,镀薄的Cu-Ni-Si-Si基铜合金板,以及Cu-Ni-Si基铜合金板的制备方法和薄膜镀铜Cu-Ni-Si基 铜合金板
机译:硬质可充电合金,包括C,CR,NI,MN,SI,ZR,MO,W和B,原因是CR / NI小于5;并焊接在基材上,包括应用此类合金。
机译:在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在Si晶片上形成Ni和Ni合金膜的方法,在形成Ni时Si晶片的表面的表面粗糙化处理液和镍合金膜,转化处理方法
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