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陈维德; 陈宗圭; 崔玉德;
中国科学院半导体研究所;
InGaAs; 定量分析; 俄歇电子谱;
机译:应变对重要的III-V量子阱的能带偏移的影响:In_xGa_(1-x)N / GaN,GaAs / In_xGaGa(1-x)P和In_xGa_(1-x)As / AlGaAs
机译:跨Sr_(1-x)La_xCuO_2 / Au / Nb平面隧道结的电传输以及Sr_(1-x)La_xCuO_2 / N薄膜的x射线光电子和俄歇电子能谱
机译:ISO / TC 201标准摘要:XX ISO 18118:2004-表面化学分析-俄歇电子能谱和X射线光电子能谱-将实验确定的相对灵敏度因子用于定量分析的指南
机译:菌株对III-V量子阱的带偏移的影响:IN_XGA_(1-x)P / GAA,IN_XGA_(1-x)AS / AL_(0.2)GA_(0.8)AS和IN_XGA_(1-x)n /甘
机译:使用X射线光电子能谱,俄歇电子能谱,电子能量损失能谱和低能电子衍射来表征氧化铝的电子和几何结构。
机译:通过俄歇电子能谱和X射线光电子能谱定量测定表面成分的有效衰减长度
机译:In_xGa_ {1-x} sb mOsFET:自洽CV的性能分析 表征和直接隧道栅漏电流
机译:18微米截止长波长In_xGa_(1-x)as / Gaas量子阱红外光电探测器
机译:用于俄歇电子能谱的分析样品的制备方法和俄歇电子能谱的方法
机译:使用马尔迪质谱定量分析聚合物的方法和制造用于聚合物定量分析的马尔迪质谱样品的方法
机译:俄歇电子能谱的样品制备方法
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