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摘要
第一章 绪论
1.1 薄膜厚度表征
1.2 俄歇电子能谱的基本原理
1.2.1 俄歇电子的产生
1.2.2 俄歇电子能量
1.2.3 俄歇跃迁几率
1.2.4 平均自由程与平均逃逸深度
1.2.5 俄歇电子能谱
1.3 有效衰减长度
1.3.1 IMFP、AL、EAL的定义
1.3.2 薄膜衬底模型中的EAL计算
1.4 定量俄歇分析
第二章 理论模型
2.1 弹性散射理论
2.1.1 弹性散射微分截面
2.1.2 弹性散射总截面
2.2 非弹性散射理论
2.2.1 介电函数理论
2.2.2 非弹性散射总截面
2.2.3 内壳层电离及弛豫过程
2.3 Tougaard背景扣除
第三章 Monte Carlo模拟计算
3.1 Monte Carlo方法简介
3.2 模型与抽样方法
3.3 俄歇电子能谱以及有效AES的具体实现
第四章 结果与讨论
4.1 弹性峰附近能谱
4.2 俄歇峰附近能谱
4.3 有效俄歇电子能谱
4.4 有效衰减长度的计算
第五章 总结与展望
5.1 论文总结
5.2 工作的未来展望
参考文献
致谢
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果