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刘键; 王佩璇; 柯俊; 朱沛然; 扬峰; 殷士端;
北京科技大学材料物理系;
中国科学院物理研究所;
中国科学院半导体研究所;
砷化镓; 中子辐照; 沟道RBS法;
机译:中子辐照GaN中的晶格紊乱:核反应分析和卢瑟福背散射研究
机译:通过卢瑟福背散射/沟道在GaAs上生长的厚GaMnAs层中四方畸变的深度分布
机译:GaAs_(1-x)Bi_x合金的卢瑟福背散射光谱结合沟道技术的结构表征
机译:Au / Cr / GaAs的卢瑟福背散射光谱分析
机译:改善中子俘获疗法中子辐照特性的物理工程研究(改善体内和中子辐照场的深剂量分布)
机译:超小型热中子监测仪在基于加速器的中子俘获疗法的辐照研究中的应用
机译:卢瑟福背散射和沟道技术在陶瓷表征中的应用
机译:同时重现研究反应堆中子辐照度特定值和伽马射线辐照剂量的方法
机译:研究反应器同时产生给定中子流和伽马射线辐照剂量的方法
机译:研究人员同时重现中子流目标值和伽马射线辐照剂量的方法
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