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刘键; 王佩璇; 张灶利;
中国科学院高能物理研究所;
北京科技大学材料物理系;
中子辐照; 砷化镓; 退火; 反位缺陷; 复合缺陷;
机译:用正电子an没和电导率研究中子辐照铜和铁中的缺陷退火行为
机译:辐照缺陷的动态退火对中子辐照钨中氘保留行为的影响
机译:用小角度中子散射研究中子辐照的FeCu,FeMnNi和FeMnNiCu模型合金的辐照后退火行为
机译:氢对中子辐照硅中缺陷退火行为的影响
机译:改善中子俘获疗法中子辐照特性的物理工程研究(改善体内和中子辐照场的深剂量分布)
机译:超小型热中子监测仪在基于加速器的中子俘获疗法的辐照研究中的应用
机译:辐照后退火后液相辅助法致密中子辐照siC陶瓷的缺陷湮灭行为
机译:正电子寿命在退火,中子辐照铝的空隙和其他缺陷
机译:同时重现研究反应堆中子辐照度特定值和伽马射线辐照剂量的方法
机译:消除中子辐照FZ硅单晶辐照缺陷的方法
机译:利用热中子辐照和退火制造半导体元件的方法
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