用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变

摘要

利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(＞2 μm)的一系列不同Al和In含量的AlInGaN薄膜进行组分及结晶品质的测量;并结合高分辨X射线衍射技术,通过对AlInGaN的对称(0002)面,及非对称(10-15)面的θ-2θ扫描及倒空间扫描,可以精确测定AlInGaN外延层的晶格常数及水平和垂直方向的应变.实验结果表明AlInGaN薄膜中不同含量Al和In对其应变有较大的影响,结合Vegard定理,对这一现象给出了理论的解释.