中子辐照对彩色CMOS图像传感器性能的影响

孟祥提; 康爱国; 黄强

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中子辐照对彩色CMOS图像传感器性能的影响

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对一种彩色互补金属氧化物半导体(CM0S)图像传感器芯片进行了反应堆中子的辐照实验研究,利用图像分析软件分析了辐照前后芯片的暗输出图像的平均暗输出、暗输出不均匀性和动态范围等参数;与γ射线辐照很不相同,中子辐照器件的暗输出图像上出现许多大而密的斑点和条纹,图像上有很多白点和白点串;经过长时间室温退火后的图像质量没有明显改善.文章初步探讨了CMOS图像传感器的辐照损伤机理.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|583-587|共5页
作者
孟祥提; 康爱国; 黄强;
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作者单位

清华大学核能与新能源技术研究院;

北京;

100084 清华大学核能与新能源技术研究院;

北京;

100084 清华大学核能与新能源技术研究院;

北京;

100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
彩色CMOS图像传感器; 中子辐照; γ射线辐照; 输出特性; 辐照损伤;

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