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机译:中子辐照后CMOS图像传感器的位移损坏
Balseiro Institute, Bariloche, Argentina;
Comision Nacional de Energia Atomica, Buenos Aires, Argentina;
Balseiro Institute, Bariloche, Argentina;
Balseiro Institute, Bariloche, Argentina;
Balseiro Institute, Bariloche, Argentina;
Balseiro Institute, Bariloche, Argentina;
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas, Buenos Aires, Argentina;
Balseiro Institute, Bariloche, Argentina;
Balseiro Institute, Bariloche, Argentina;
Ionizing radiation; Thermal sensors; Radiation effects; Alpha particles; CMOS image sensors; Active pixel sensors; CMOS technology; X-rays;
机译:中子和质子辐射对深亚微米技术制造的CMOS图像传感器产生的位移损伤效应
机译:核反应堆中子辐照对CMOS APS图像传感器的位移损伤效应
机译:CSNS设备中Back-n处的高能中子在CMOS图像传感器中引起的单粒子瞬态响应和位移损伤
机译:COTS CMOS有源像素传感器在受到α,热中子和伽玛射线照射后会损坏
机译:中子辐照导致碳化硅探测器位移损伤的建模。
机译:硼中子捕获治疗从体外照射的热中子相对生物效能因素
机译:由于中子和质子辐照对以深亚微米技术制造的CMOS图像传感器产生的位移破坏效应